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PDF/月刊誌論文/code:pg_0611_03マテリアル インテグレーション 2006年11月号
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PDF/月刊誌論文/code:pg_0611_03 マテリアル インテグレーション 2006年11月号
MATERIALS INTEGRATION ウルツァイト化合物の合成と物性
MBE法による窒化物薄膜の合成
■著者
独立行政法人 物質・材料研究機構 物質研究所 電子セラミックスグループ 特別研究員 大垣 武
■要約
非極性面ZnO単結晶基板を利用して,その上に非極性GaN薄膜をエピタキシャル成長させることを目的とし,ZnO基板の非極性面に成長させたGaN膜の配向性,結晶性についても検討を行なった.
