- 商品コード：
-
code:pg_0611_06
PDF/月刊誌論文/code:pg_0611_06マテリアル インテグレーション 2006年11月号
- 通常価格(税込)：
-
2,200
円
- 販売価格(税込)：
-
2,200
円
ポイント：
0
Pt
- 関連カテゴリ：
-
電子出版物(マテリアルインテグレーション論文)
> 2006
PDF/月刊誌論文/code:pg_0611_06 マテリアル インテグレーション 2006年11月号
MATERIALS INTEGRATION ウルツァイト化合物の合成と物性
GaN中の拡散現象
■著者
独立行政法人 物質・材料研究機構 物質研究所 電子セラミックスグループ 羽田 肇
■要約
本稿では,GaN薄膜中の窒素の点欠陥構造を明らかにする一環として,窒素拡散について評価した結果について述べる.先に述べたように,気相が容易に得られるイオンの拡散は気相-固相交換法が一般的である.しかしながら,窒素分子の結合エネルギー (940kJ/mol) は酸素分子のそれ (494kJ/mol) に比して遙かに大きく,吸着分子が分解し,固体中に拡散するには1000℃以上の高温を要する.したがって,本実験では,Ga14N/Ga15N/Ga14N同位体ヘテロ構造を形成し,拡散焼鈍による窒素同位体プロファイルの変化を解析することとした.また,基板元素の薄膜中への拡散についても検討した.同様の方法により,Ambacherらにより窒素拡散係数の報告がすでになされているが,彼等データとの比較検討も併せて行った.
