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PDF/月刊誌論文/code:pg_0812_08マテリアル インテグレーション 2008年12月号
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PDF/月刊誌論文/code:pg_0812_08 マテリアル インテグレーション 2008年12月号
ELECTRONIC CERAMICS 発光材料の新展開
非極性面窒化物半導体発光素子の最近の動向
■著者
東北大学 多元物質科学研究所 尾沼 猛儀 他
■要約
非極性面に形成されたGaN系窒化物半導体発光素子研究の最近の動向を概観した.非極性面GaNを異種基板上へ成長させた場合,高密度な貫通転位に加えてc面積層欠陥の発生が不可避である.これらの欠陥により主面以外の成長面が現れ,InGaN量子井戸へのIn取り込みが不均一となるために,注入電流の増加に伴って発光ダイオードの発光波長が短波長にシフトする問題が発生した.近年,非極性面発光素子の性能が飛躍的に向上してきたが,そのきっかけとなったのは,低転位非極性面自立GaN基板の登場であった.$c$面方向に厚膜成長してから非極性面を切り出した基板上に形成したLEDには積層欠陥は殆ど観測されず,注入電流の変化による発光波長の変化も観られなくなった.最近ではAlInGaP系の外部量子効率を上回る黄色LED,純青・青緑色レーザダイオード (LD) などが次々と報告されている.さらに長波長化が進み純緑色LDが実現すれば,光の三原色をLDのみで構成することが可能となるため,LDディスプレイやレーザーフォログラフィーなどの小型発光デバイス用光源への応用が期待される.
