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PDF/月刊誌論文/code:pg_0904_04 マテリアル インテグレーション 2009年4月号
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> 2009
PDF/月刊誌論文/code:pg_0904_04 マテリアル インテグレーション 2009年4月号
ELECTRONIC CERAMICS MEMSデバイス関係の半導体プロセスとエレセラ材料技術のせめぎあい
シリコンと熱膨張係数を合わせた多層貫通配線LTCC基板
■著者
ニッコー株式会社 研究開発部 毛利 護
■要約
MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) の実装技術として,ウエハレベル実装が活発に開発され,実用化されてきている.このウエハレベル実装用基板材料として,まずシリコンと熱膨張が近い3.4〜4.0ppm/℃ の貫通配線LTCC (Low Temperature Co-fired Ceramics) 基板を開発し,実装試験で熱膨張係数を合わせこむ必要性が確認された.次に,ウエハとの接合方式として従来はAu/Snなど何らかの介在物を用いる必要があったが,接着層を必要としない陽極接合も可能な,熱膨張係数が3.3ppm/℃ のLTCC(材料名:BSW)を開発した.このBSW基板は,パイレックスガラスよりもシリコンと熱膨張係数が近似しており,ガラスと同等な陽極接合能力をもっている.貫通配線基板を製作し,ダイヤフラム基板と真空中で陽極接合した.大気中に取り出したあと圧力差で生じるダイヤフラムの凹みが,約2000時間経過後も有意な変化が見られていないことから,気密封止性能が確認できた.
