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PDF/月刊誌論文/code:pg_0909_09 マテリアル インテグレーション 2009年9月号
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PDF/月刊誌論文/code:pg_0909_09 マテリアル インテグレーション 2009年9月号
ELECTRONIC CERAMICS 機能元素のナノ材料科学(9,10合併号)
GaMnNのバンド構造と常磁性-強磁性可逆転移
■著者
京都工芸繊維大学大学院 工芸科学研究科 電子システム工学部門 准教授 園田早紀
■要約
Mn添加GaN(GaMnN)のバンド構造と磁気特性について議論する.これまでに,Mn価数の2価/3価混成,VRH伝導,低温領域でのキャリアの局在とヒステリシスの消失などの実験結果が得られている.我々はこれらの実験結果からMn3d準位がGaNギャップ中にあり,価数混成状態がおこると,この準位間を電子が飛び移れるように強磁性配列が起こるという強磁性発現モデルを提案してきた.本研究では,XPSによるバンド構造検証,脱水素による磁気特性の変化を通してより詳細に検証した.その結果,Mn添加によるフェルミレベルの低下,およびギャップ中の新しい状態の形成,水素添加によるフェルミレベルの上昇をXPSスペクトル分析より確認した.また,脱水素化により強磁性-常磁性転移が起こることを確認した.以上より,上記のモデルの妥当性が示された.
