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PDF/月刊誌論文/code:pg_0007_16 マテリアル インテグレーション 2000年7月号
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PDF/月刊誌論文/code:pg_0007_16 マテリアル インテグレーション 2000年7月号
MATERIALS INTEGRATION -応用の拡がる- 熱電変換素子の新展開
連載特集
セラミックス開発の新兵器:TG-MS [14]SiCのCVD処理の有無における放出ガスの相違のTG-MS分析
■著者
日本電子(株) 応用研究センター 第2応用研究センター 2グループ 小野寺 潤、日本電子(株) 応用研究センター 第2応用研究センター 2グループ 樋口 哲夫
■要約
高純度SiCは,減圧下,高温下での放出ガスが非常に少ないことから,半導体製造用部材として広く使用されている.最近では成形後のSiCにCVD(Chemical Vapor Deposition : 化学蒸着法)処理を施し,放出ガス化合物の成分及び量をさらに抑制する研究が行われている.本稿では,CVD処理したSiCと未処理のものからそれぞれ放出されたガス化合物をそれぞれTG-MS法により分析し,発生量の比較を行った結果を報告する.
