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PDF/月刊誌論文/code:pg_0012_03マテリアル インテグレーション 2000年12月号
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PDF/月刊誌論文/code:pg_0012_03 マテリアル インテグレーション 2000年12月号
ELECTRONIC CERAMICS スピンエレクトロニクス
伝導電子-スピン
MRAM開発の現状と将来展望
■著者
東北大学大学院 工学研究科 マテリアル・開発系 猪俣 浩一郎
■要約
MRAMは不揮発性固体磁気メモリであり,電源を切ると記憶が失われるDRAMとは機能を異にしている.最近の大きなトンネル磁気抵抗(TMR)の実現に伴い,MRAMが大きく期待されるようになってきた.21世紀は大量の情報を記憶し高速で通信できる,高機能情報機器が日常的に使われると予想される.このような社会ではメモリは低消費電力の観点から不揮発性が強く求められ,また高速書き換えが不可欠になる.MRAMはそのような新しいメモリの主流になり得るだろうか.本論ではMRAM開発の現状をレビューし,将来を展望してみたい.
