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PDF/月刊誌論文/code:pg_0012_05マテリアル インテグレーション 2000年12月号
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PDF/月刊誌論文/code:pg_0012_05 マテリアル インテグレーション 2000年12月号
ELECTRONIC CERAMICS スピンエレクトロニクス
伝導電子-スピン
ペロブスカイト型Mn酸化物スピントンネル接合
■著者
NEC システムデバイス・基礎研究本部 小畑 毅、島川 祐一、真子 隆志、久保 佳実
■要約
なかでもMnペロブスカイト酸化物を用いた接合の研究は活発で,低温ではあるが通常の強磁性体金属・合金をはるかに凌ぐ大きなTMR比が実証されてきた.しかし残念なことに,これらのMnペロブスカイト薄膜を用いた酸化物スピントンネル接合においては,TMRがMnペロブスカイト薄膜の強磁性キュリー温度に比べてはるかに低温で観測されなくなるという問題があった.我々はこの問題の原因の一端がMnペロブスカイト薄膜の品質,およびバリア膜の均一性や厚さ制御にあることを明らかにしてきた.そこで本稿ではMnペロブスカイト薄膜を用いたスピントンネルの作製,およびそのTMR特性,電気伝導特性などを評価した結果を膜厚の影響を中心に総括する.
