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PDF/月刊誌論文/code:pg_0012_06マテリアル インテグレーション 2000年12月号
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PDF/月刊誌論文/code:pg_0012_06 マテリアル インテグレーション 2000年12月号
ELECTRONIC CERAMICS スピンエレクトロニクス
伝導電子-スピン
バリスティック電子が示すGMR効果
■著者
(株)東芝研究開発センター 新機能材料デバイスラボ 佐藤 利江、東芝リサーチコンサルティング(株) 水島 公一
■要約
GMR素子に比べてより大きな磁気抵抗効果を示す素子を実現する一つの方法はフェルミ面上の伝導電子に替えて,ある特定のエネルギーを持ち結晶の特定方位に沿って進む電子の伝導現象を利用することではないかと思われる.伝導に寄与する電子のエネルギーと進む方向を最適化することにより,伝導度のスピン依存性が強まり,MR比が増大することが期待される.このような方針に基づいて我々が進めているスピンバルブトランジスターと呼ばれる素子の開発状況を以下に紹介する.
