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PDF/月刊誌論文/code:pg_0012_08マテリアル インテグレーション 2000年12月号
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DF/月刊誌論文/code:pg_0012_08 マテリアル インテグレーション 2000年12月号
ELECTRONIC CERAMICS スピンエレクトロニクス
光―スピン(半導体とスピン)
スピンFETの可能性
■著者
NTT物性科学基礎研究所 新田 淳作
■要約
磁性体/非磁性体金属積層構造における巨大磁気抵抗(GMR)や強磁性体トンネル接合(TMR)における大きな磁気抵抗変化の発見により,電子の有するスピンの性質が重要な役割を果たしていることが明らかになったという事実がある.しかしながら,GMRやTMRは,基本的に二端子素子であり,具体的な応用としては,メモリーやセンサー等の受動素子になってしまう.電界効果スピントランジスタ(スピンFET)は,この電子の有するスピンの自由度をゲート電圧によって制御する三端子素子として注目されている.本稿では,まずスピンFETの動作原理について概説し,実現するうえでの問題点であるスピン軌道相互作用のゲート電圧制御と強磁性体電極からの偏極スピン電子注入について述べる.
