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PDF/月刊誌論文/code:pg_0207_07 マテリアル インテグレーション 2002年7月号

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INTER MATERIAL 材料・生体・情報の融合を目指して(1)

多結晶III-V族窒化物半導体/異種材料ヘテロ構造とデバイス応用の研究
■著者
大阪大学産業科学研究所 光・電子材料研究分野 朝日 一

■要約
我々は多結晶GaN を用いた安価で大面積な光デバイスの実現可能性を指摘した.これは多結晶半導体フォトニクスの幕開けとなるものである.我々はまた,金属,Si,多結晶半導体,磁性酸化物,強誘電体酸化物などの様々な基板上に,良く光る多結晶GaNの成長の可能性を指摘している.このようなヘテロ構造は新機能・多機能をもつデバイスの作製が期待され る.ここでは,これらの概要と現状を紹介する.
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