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PDF/月刊誌論文/code:pg_0207_08 マテリアル インテグレーション 2002年7月号

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INTER MATERIAL 材料・生体・情報の融合を目指して(1)

新磁性III-V族半導体の創製と新機能デバイス応用の研究
■著者
大阪大学産業科学研究所 光・電子材料研究分野 周 逸凱 他

■要約
本研究では重要なエレクトロニクス材料GaNにMn及びCrをドープした磁性半導体GaMnN ,GaCrNの作製を試みた.これらの結晶性及び磁気的,光学的性質を調べた.特に,GaCrN は理論に基づき初めて作製されているもので,磁化測定から室温強磁性を示し,GaMnNより良い磁気特性を得られている.そして,GaMnN及びGaCrNのもう一つ重要な性質は,通常のGaN 結晶成長温度で行うため,光励起により発光することである.発光しないInMnAsやGaMnAsのような希薄磁性半導体と比べ,スピントロニクス材料として大変有望である.
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