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PDF/月刊誌論文/code:pg_0207_10 マテリアル インテグレーション 2002年7月号
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電子出版物(マテリアルインテグレーション論文)
> 2002
INTER MATERIAL 材料・生体・情報の融合を目指して(1)
半導体ヘテロ構造と内殻電子遷移
■著者
大阪大学産業科学研究所 半導体量子科学分野 井上 恒一
■要約
従来量子井戸の電子状態の研究はほとんど井戸層についてなされてきた.しかしエネルギーの高い励起準位はバリア層にもしみだしているので,バリア層の電子状態がどうであるか,さらに井戸層とバリア層の電子状態が界面でどのように関わり合うかが重要である.デバイス動作は通常,励起準位を経由して起こるし,また,量子細線や量子ドットなどではバリア層の役割がさらに増すので,バリア層や界面の電子状態の知識はますます必要となる.また,AlAsではX点やL 点の伝導帯準位がΓ点より下にあり,量子井戸の準位の近くに位置するので,両者の関わりが大きくなる.本論では,我々の行っているAlAsの研究を例に,内殻電子の励起を使ってバリア層や界面の電子状態の情報を得ようとすることについて述べることにする.
