- 商品コード：
-
code:pg_0208_01
PDF/月刊誌論文/code:pg_0208_01 マテリアル インテグレーション 2002年8月号
- 通常価格(税込)：
-
2,200
円
- 販売価格(税込)：
-
2,200
円
ポイント：
0
Pt
- 関連カテゴリ：
-
電子出版物(マテリアルインテグレーション論文)
> 2002
INTER MATERIAL 材料・生体・情報の融合を目指して(2)
白金の触媒作用を用いたSi-MOS構造の低温形成と電気特性の向上
■著者
大阪大学産業科学研究所 セラミックス機能材料研究分野 教授 小林 光
■要約
1nm程度のSiO2膜を化学的に低温でシリコン上に形成した後,白金膜を堆積してその構造を酸素中300℃で加熱することによって,金属-酸化物-半導体(MOS)構造を作製することができる.同様の白金処理を用いることによって,MOSダイオードのリーク電流密度の低減が可能である.リーク電流密度の低減は,白金の触媒作用によって形成されたO-イオンがSiO2膜に注入され,SiO2中の欠陥準位やSi/SiO2界面の界面準位が消滅し,さらにSiO2膜厚が均一になることによると結論した.
