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PDF/月刊誌論文/code:pg_0303_06 マテリアル インテグレーション 2003年3月号
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PDF/月刊誌論文/code:pg_0303_06 マテリアル インテグレーション 2003年3月号
ELECTRONIC CERAMICS セラミックスインテグレーション
機能性薄膜におけるバッファーレイヤの役割
■著者
東京工業大学大学院 理工学研究科 材料工学専攻 助教授 篠崎 和夫 他
■要約
今日の半導体プロセスはSi やGaAs 等の単結晶基板上に様々な薄膜を積層する技術を中核として実現されている.半導体分野では基板に対して特定の方位関係を持ったエピタキシャル薄膜,ランダムに配向した多結晶薄膜,あるいは非晶質薄膜が用途に応じて使い分けられている.例えば,非晶質SiO2 は高い電気絶縁性を有することから非常に優れたゲート絶縁膜として半導体黎明期から今日まで使われ続けている.半導性や絶縁性の多結晶Si 薄膜はSi 基板と相性のよい配線材料や絶縁材料等としてやはり長く使われている.一方,エピタキシャル薄膜では基板による強い拘束のもとで,基板の結晶的な特徴を継承し,さらに組成や構造を変調した単結晶に匹敵する優れた薄膜を形成するという困難な技術の確立により,半導体レーザをはじめとした新たな機能が実現されている.本稿では,エピタキシャル薄膜の成長を行う際に基板と薄膜の間に導入されるバッファーレイヤについて概観し,Si 半導体薄膜に比べて複雑で多様なエピタキシャル・セラミック薄膜を実現するためのバッファーレイヤについて,いくつかの実例を通して紹介する.
