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PDF/月刊誌論文/code:pg_0309_06 マテリアル インテグレーション 2003年9月号
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PDF/月刊誌論文/code:pg_0309_06 マテリアル インテグレーション 2003年9月号
ELECTRONIC CERAMICS スピントロニクス-(1)スピン伝導
スピン注入
■著者
東北大学金属材料研究所 教授 前川 禎通 他
■要約
十分に薄い絶縁膜を強磁性金属で挟んだ強磁性トンネル接合において,大きな磁気抵抗効果(TMR) が観測される.TMR は,電子の持つ電荷とスピンの自由度がトンネル障壁をどのようにトンネルするかという,量子力学の基礎的問題を提起している.同時に,磁気メモリ などのスピンエレクトロニクスへの応用でも注目され,TMR の研究は急速な進歩を見せている.強磁性体と非磁性金属や半導体との接合では,強磁性金属から非磁性金属へスピンが注入され,そのスピン偏極がスピン拡散長の距離にわたって保たれることから,非磁性体中の非平衡スピン分極(スピン蓄積)やスピン電流が生じる.最近の微細加工技術の進歩によりスピン拡散長程度の大きさのデバイスが作られ,強磁性体から様々な金属や半導体へのスピン注入が可能になってきた.本稿では,強磁性体から金属,半導体,及び超伝導体へのスピン注入効果について議論する.
