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PDF/月刊誌論文/code:pg_0502_01 マテリアル インテグレーション 2005年2月号
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PDF/月刊誌論文/code:pg_0502_01 マテリアル インテグレーション 2005年2月号
INTER MATERIAL 異方性工学のすすめ(3)プロセスと異方性
透明酸化物半導体を用いた透明電界効果トランジスタ
■著者
科学技術振興機構ERATO-SORST 研究員 野村 研二 ほか
■要約
本稿では,TOSのもつ光学透明性と伝導電子制御性を利用したデバイスとして透明電界効果型トランジスタ (透明FET) を紹介する.高性能デバイスを実現するのには多くの技術を確立する必要があるが,そのうち,高品質薄膜の作製技術と,それを用いた材料固有のキャリア輸送特性の解析についてまず説明したい.その後,FETデバイス性能について述べ,透明酸化物半導体デバイスの可能性について議論する.
