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PDF/月刊誌論文/code:pg_0502_03 マテリアル インテグレーション 2005年2月号
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PDF/月刊誌論文/code:pg_0502_03 マテリアル インテグレーション 2005年2月号
INTER MATERIAL 異方性工学のすすめ(3)プロセスと異方性
MOS界面の異方性を活用した高耐圧SiCトランジスタ
■著者
京都大学大学院 工学研究科電子工学専攻 助教授 木本 恒暢 ほか
■要約
近年,SiC結晶成長技術とデバイス作製技術が急速に進展し,300〜600V級のショットキーダイオードが製品化されるに至ったが,SiCスイッチング素子はまだ研究開発段階にある.SiCパワーMOSFETは,その本命と期待され,縦型のSiCパワーMOSFETに関する研究報告が増えている.しかしながら,MOS界面の品質が不十分であることが認識され,その特性向上に関する基礎研究が重要視されている.一方,SiCパワーデバイスも将来的には,駆動回路や制御回路との一体化が進められ,高機能パワー集積回路 (IC) のニーズが高まると予測される.このような素子実現には,集積化に適した横型のパワーMOSFETが有望と考えられるが,その研究は非常に少ない.本稿では,SiCのMOS界面における異方性に着目して,将来の高耐圧パワーICを目指した横型SiC RESURF (REduced SURface Field) MOSFETの作製を行った結果を紹介する.MOS界面の異方性,デバイス作製プロセス,デバイス特性について述べる.
