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PDF/月刊誌論文/code:pg_0902_03 マテリアル インテグレーション 2009年2月号
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PDF/月刊誌論文/code:pg_0902_03 マテリアル インテグレーション 2009年2月号
INTER MATERIAL マルチフェロイクス材料の作製と応用
次世代メモリとしてのマルチフェロイック材料
■著者
東京工業大学 大学院総合理工学研究科 教授 石原 宏
■要約
マルチフェロイック材料であるBiFeO3膜を次世代強誘電体メモリに応用する上での特徴と問題点についてまとめている.この材料は,残留分極値が大きいというメモリの高集積化に極めて有利な特徴がある一方で,リーク電流が大きく,抗電界が高いという低電圧動作には不利な点があることを述べている.さらに,化学溶液堆積法を用いた成膜実験より,Mnなどの不純物の添加が,高電界領域におけるリーク電流の低減に有効なことを明らかにしている.
