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PDF/月刊誌論文/code:pg_9907_08 マテリアル インテグレーション 1999年7月
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電子出版物(マテリアルインテグレーション論文)
> 1999
PDF/月刊誌論文/code:pg_9907_08 マテリアル インテグレーション 1999年7月号
MATERIALS INTEGRATION 酸化物強誘電体薄膜の合成とその物性
ECRスパッタ法による強誘電体薄膜(BIT,BNN)の合成とその物性
■著者
東北大学金属材料研究所 増本 博、平井 敏雄、名古屋工業技術研究所 渡津 章、八戸工業大学電気工学科 増田 陽一郎
■要約
強誘電体薄膜の作製には,様々な物理的および化学的作製法が試みられているが,近年の半導体作製技術との融合を見据え,より高品質な強誘電体薄膜を作製する方法が望まれている.その物理的作製法の中で,電子サイクロトロン共鳴(ECR)プラズマスパッタ法は,従来のPVD法より低温で高結晶性の薄膜を得ることの出来る方法である.ここでは,疲労特性に優れたY1材料と呼ばれているSrBi2Ta2O9同様ビスマス層状構造強誘電体の一つであるチタン酸ビスマス(BIT:Bi4Ti3O12)薄膜および大きな非線形光学係数および圧電定数を示すことから,光I・Cや圧電素子等への応用が期待されている材料の一つであるBNN(Ba2NaNi5O15)薄膜の作製に関して,ECRプラズマスパッタ法を用いて,その作製条件と構造,配向性,誘電特性,光学特性との関係について述べる.
