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PDF/月刊誌論文/code:pg_9907_06 マテリアル インテグレーション 1999年7月
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> 1999
PDF/月刊誌論文/code:pg_9907_06 マテリアル インテグレーション 1999年7月号
MATERIALS INTEGRATION 酸化物強誘電体薄膜の合成とその物性
ビスマス層状構造強誘電体薄膜の合成と物性
■著者
東京理科大学理学部 応用物理学科 塚本 桓世、安藤 静敏
■要約
強誘電体メモリーは,半導体メモリーやハードディスクに換わる能力を持った理想的な不揮発性メモリーデバイスであることから,近年,シリコン基板上に強誘電体薄膜キャパシタを作成する研究が精力的に行われてきている.強誘電体メモリーの優位性を生かし,現有メモリーとの置き換えを可能にするためには,作製された薄膜キャパシタの疲労特性やインプリント特性等メモリーとしての信頼性に関わる特性が充分得られなければならない.そのような状況の中で,ビスマス層状構造強誘電体が不揮発性メモリー薄膜材料として注目を集めている.ここでは,ビスマス層状構造強誘電体(BIT,SBT)薄膜作製を概説する.
