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PDF/月刊誌論文/code:pg_9907_03 マテリアル インテグレーション 1999年7月
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> 1999
PDF/月刊誌論文/code:pg_9907_03 マテリアル インテグレーション 1999年7月号
MATERIALS INTEGRATION 酸化物強誘電体薄膜の合成とその物性
MOCVD法による強誘電体PZT薄膜の合成とその物性
■著者
姫路工業大学工学部 清水 勝、 奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科 岡村 総一郎、塩嵜 忠
■要約
従来より強誘電体材料は,コンデンサ,圧電素子,赤外線センサ,光集積回路素子等様々な素子への応用が検討されてきたため,その成膜法に関しては多くの報告があるが,そのほとんどがスパッタ法によるものであった.しかしながら強誘電体薄膜メモリーの研究が盛んになるにつれ,イオンビームスパッタ法,レーザ・アブレーション法,ゾル・ゲル法,MOD (Metalorganic Decomposition)法,MOCVD (Metalorganic Chemical Vapor Deposition)法など様々な方法が報告されるようになってきた.筆者らは強誘電体薄膜の作製法として,将来的に非常に有望であるMOCVD法に着目し長年研究を進めてきた.ここでは,MOCVD法によるPZT薄膜の合成とその特性に関し,最近の筆者らの成果を紹介する.
