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PDF/月刊誌論文/code:pg_9902_13 マテリアル インテグレーション 1999年2月
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電子出版物(マテリアルインテグレーション論文)
> 1999
PDF/月刊誌論文/code:pg_9902_13 マテリアル インテグレーション 1999年2月号
MATERIALS INTEGRATION JFCC((財)ファインセラミックスセンター)-世界のCOEを目指して-
4.JFCCの材料研究
Si/SiO2低次元構造制御の創成研究
■著者
(財)ファインセラミックスセンター 試験研究所 石川 由加里
■要約
無害で豊富なSiO2を原料とし膨大な既存技術の蓄積を有するSiは半導体デバイス材料の中でも最も重要な地位を占めている.集積技術分野で限界がささやかれ始めたSiであるが,実は魅力的なデバイス能力が未開拓のまま残っているのである.ここでは,単結晶Si/SiO2成長を可能にした,Si分子線エピタキシー(Si-MBE)その場低エネルギー酸素イオン注入技術について解説し,また同手法を用いて制御したSi/SiO2低次元構造の中から,量子および光電子デバイス材料開拓の観点から興味深い構造を紹介する.
