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PDF/月刊誌論文/code:pg_0006_11 マテリアル インテグレーション 2000年6月号
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PDF/月刊誌論文/code:pg_0006_11 マテリアル インテグレーション 2000年6月号
ELECTRONIC CERAMICS -情報・通信の変革に伴う-基板材料の新展開
「半導体応用基板」
III-V族多元混晶半導体のバルク単結晶成長技術
■著者
静岡大学電子工学研究所 早川 泰弘、熊川 征司、静岡理工科大学 小澤 哲夫
■要約
半導体結晶は電子工学の種々の分野,特に電子デバイス,集積回路,あるいは光デバイスなどの分野において不可欠な材料である.現在,Si等の元素半導体やGaAs,InP等の化合物半導体が広い分野で活用されているが,より広い波長範囲で動作するデバイス作成には,三元素またはそれ以上の多元素からなる混晶半導体の結晶成長技術の開発が重要である.現在,ヘテロエピタキシー技術により格子定数の異なる基板上に良質な成長層を得るための研究が行われているが,基板材料として任意の格子定数を有する混晶半導体のバルク単結晶を成長させることができれば,より良質の層を成長できると考えられる.本解説では,溶質供給回転ブリッジマン法によるInGaAs,GaInAsSbのバルク結晶成長について紹介する.
