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PDF/月刊誌論文/code:pg_0006_12 マテリアル インテグレーション 2000年6月号
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PDF/月刊誌論文/code:pg_0006_12 マテリアル インテグレーション 2000年6月号
ELECTRONIC CERAMICS -情報・通信の変革に伴う-基板材料の新展開
「半導体応用基板」
InGaAs三元混晶基板を用いた1.3μm帯高性能半導体レーザ
■著者
(株)富士通研究所 基盤技術研究所 石川 浩
■要約
半導体レーザは1970年の初の室温連続発振以降,特性の改善が進められ,現在通信,光ディスク用光源等に広く使われている.しかし,近年まで大幅な特性の改善がなされたものの,依然半導体レーザには解決すべき課題が残っている.光アクセス系や光インターコネクション等への適用においては,一層の低しきい値電流化と大幅な温度特性の改善が要求されている.特に大きな課題となっているのは,通信の波長帯である波長1.3-1.55μm帯の半導体レーザの温度特性の改善である.本稿では,通信の波長帯である1.3μm帯の半導体レーザの大幅なしきい値電流の低減と温度特性の改善を,従来 GaAsとInPしかなかった化合物半導体基板に,新しいInGaAs三元混晶基板を開発し,その上でレーザーを製作することでで達成しようとする研究を紹介する.
