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PDF/月刊誌論文/code:pg_0006_13 マテリアル インテグレーション 2000年6月号
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PDF/月刊誌論文/code:pg_0006_13 マテリアル インテグレーション 2000年6月号
ELECTRONIC CERAMICS -情報・通信の変革に伴う-基板材料の新展開
「半導体応用基板」
SiC基板を用いたInGaNレーザダイオード
■著者
(株)富士通研究所 基盤技術研究所 光半導体研究部 倉又 朗人
■要約
MOディスクやDVD等の光ディスクメディアの高密度化を進めるために,短波長のレーザ光源が求められているが,GaN系半導体レーザは,400nm付近に発光波長を有し,次世代の光ディスク用光源として有望である.これまでにGaN系レーザの作製が報告されている基板としては,サファイア(Al2O3),スピネル(MgAl2O4),炭化ケイ素(SiC),Al2O3基板上の選択成長GaN,ハイドライド気相堆積法で作成したAl2O3基板上の厚膜GaNが挙げられる.これらの中で,SiC基板上のInGaNレーザの特性は,近年急速に進歩しており,60mAという低しきい値での室温連続発振が報告されている.本稿ではSiC基板上InGaNレーザの最近の特性を紹介する.
