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PDF/月刊誌論文/code:pg_0106_04 マテリアル インテグレーション 2001年6月号
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PDF/月刊誌論文/code:pg_0106_04 マテリアル インテグレーション 2001年6月号
ELECTRONIC CERAMICS ナイトライドセラミックスの新展開(1)
新しいスピネル型窒化物の材料設計
■著者
京都大学大学院エネルギー科学研究科 助教授 田中 功、東京大学工学部総合試験所 大場史康、京都大学大学院工学研究科 吉矢真人、Wai-Yim CHING ミズーリ大学カンザスシティー校
■要約
スピネル構造をもつ立方晶窒化ケイ素が存在し,高温高圧下で合成可能であることが,1999年にドイツのグループによって報告された.立方晶窒化ケイ素の発見後すぐに,われわれは第一原理計算を行い,立方晶窒化ケイ素が3.5eVのバンドギャップを持つ直接遷移型の物質であることを報告した.α型やβ型のSi3N4のSiがすべてNを4配位しているのに対し,立方晶Si3N4中のSiには4配位と6配位のものがある.このような複合窒化物では2種のイオンの組み合わせの妙によって,発現する機能が広範囲で制御できる可能性がある.いまでは第一原理計算を援用することで,望みの物性を与えるための物質探索が可能になりはじめているので合成に先駆けて網羅的な計算を行えば,材料開発の方針が立てやすい.
