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PDF/月刊誌論文/code:pg_0106_05 マテリアル インテグレーション 2001年6月号
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PDF/月刊誌論文/code:pg_0106_05 マテリアル インテグレーション 2001年6月号
ELECTRONIC CERAMICS ナイトライドセラミックスの新展開(1)
窒化物半導体発光特性
■著者
日亜化学工業(株) 窒化物半導体研究所 長浜 慎一
■要約
pn接合を有するホモ型GaN-LEDはAmanoらによって1989年に初めて作られた.その後,1993年にInGaN活性層を用いたダブルへテロ構造青色LEDが発表され,続いて緑色LEDも発表された.今ではスタジオや競技場等の超大型フルカラーディスプレイや交通信号機,液晶のバックライト,等にGaN系LEDが使用されている.またInGaN活性層を用いた紫外LED,アンバー色LED,も既に実現している.LDの分野では,LED開発の過程で得られた結晶成長の手法と新しく考案された手法とを用いて,室温パルス発振,室温連続発振,実使用条件を満足する寿命の達成,と急速に進歩している.ここ10年間のGaN系材料の研究開発の経過は非常に華々しいが,そこに至るまでにはいくつかの大きな問題を解決する必要があった.本節では,GaN系半導体の結晶成長に関するいくつかのブレークスルーにより窒化物によるLED/LDが実現したことを述べる.
