- 商品コード：
-
code:pg_0106_06
PDF/月刊誌論文/code:pg_0106_06 マテリアル インテグレーション 2001年6月号
- 通常価格(税込)：
-
2,200
円
- 販売価格(税込)：
-
2,200
円
ポイント：
0
Pt
- 関連カテゴリ：
-
電子出版物(マテリアルインテグレーション論文)
> 2001
PDF/月刊誌論文/code:pg_0106_06 マテリアル インテグレーション 2001年6月号
ELECTRONIC CERAMICS ナイトライドセラミックスの新展開(1)
GaN系半導体による紫色レーザダイオード
■著者
名城大学理工学部 上山 智、天野 浩、赤崎 勇
■要約
デバイス開発があまりにも急速に進んだ反面,伝導性制御,キャリア輸送現象,発光機構あるいは誘導放出のための光学利得の形成などの基本的性質の理解が未だ不十分である.極めて欠陥密度の高い窒化物結晶において,何故高性能デバイスが実現できるかが現在でも不明であり,他の材料の常識が通用しない側面を持っている.このような窒化物半導体材料の特異な性質を解明するために,今日でも多くの研究が進められている.本論文では,GaN系LDの過去の開発経緯を振り返るとともに,この材料の持つ特異な性質と発光機構,さらにGaN系LDの今後の展望について議論する.
