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PDF/月刊誌論文/code:pg_0106_08 マテリアル インテグレーション 2001年6月号
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PDF/月刊誌論文/code:pg_0106_08 マテリアル インテグレーション 2001年6月号
ELECTRONIC CERAMICS ナイトライドセラミックスの新展開(1)
立方晶III族窒化物半導体量子構造のMBE成長と評価
■著者
電子技術総合研究所 パワーエレクトロニクス研究センター 奥村 元、筑波大学 物理学系 秩父重英
■要約
・族窒化物半導体は,通常のwurtzite構造以外にも,GaAs等と同様の立方晶(c-)zincblende構造をとるケースがあることがわかってきた. ・族窒化物半導体では六方晶構造が熱的安定相で,立方晶構造は非平衡相であり,立方対称性の基板上へのエピタキシャル成長等で実現されている.・族窒化物半導体は,いわゆるワイドギャップ半導体であり,化学結合が強く,両構造共高い電子飽和ドリフト速度や絶縁破壊電圧と言う特徴を持っている.立方晶・族窒化物半導体は,非平衡相であるために相混在のない純粋な試料を得るのが困難であった.(MBE) 法を用いて,高品質な立方晶GaN, AlN, AlGaN混晶InGaN混晶のエピタキシャル成長に成功し,その特性を評価してきた.本稿では,これら立方晶・族窒化物半導体量子構造の作製と特性評価について紹介する.
