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PDF/月刊誌論文/code:pg_0106_09 マテリアル インテグレーション 2001年6月号
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PDF/月刊誌論文/code:pg_0106_09 マテリアル インテグレーション 2001年6月号
ELECTRONIC CERAMICS ナイトライドセラミックスの新展開(1)
GaNのHVPE法による厚膜バルク成長
■著者
三重大学工学部 電気電子工学科 教授 平松 和政
■要約
ハイドライド気相成長法は,気相成長法(VPE)の一種で,ハロゲン系気相成長法とも呼ばれる.ここでは,HVPE法による・族窒化物半導体の気相成長について述べる.HVPEによるGaNの結晶成長を概観するとともに,その特徴を活かしたGaNバルク単結晶の作製を述べる.HVPEによる選択成長技術,さらにはこれを応用した低転位GaN結晶の成長についても述べる.最後に,その他のアプローチについても触れる.
