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PDF/月刊誌論文/code:pg_0106_11 マテリアル インテグレーション 2001年6月号
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PDF/月刊誌論文/code:pg_0106_11 マテリアル インテグレーション 2001年6月号
ELECTRONIC CERAMICS ナイトライドセラミックスの新展開(1)
連載特集
セラミックス開発の新兵器:TG-MS[23]層間絶縁用酸化膜の加熱時発生気体分析
■著者
(株)東レリサーチセンター 材料物性研究部 伊藤真知子、高井良 浩、石切山一彦
■要約
SIの高集積化に伴い,配線遅延を抑制し,チップの高速・低消費電力化を図るため,長年広く利用されてきたSiO2系から最近低誘電率の層間絶縁膜(low-k膜)へと切り替えられようとしている.低誘電率化のポイントは,低誘電率材料の選択と多孔性構造にある.特に多孔性の場合には,誘電率の高い水が毛管凝縮的に吸着する可能性が考えられ,その吸着挙動の解明は重要である.本稿では,半導体デバイス向け層間絶縁膜として広く利用されているSiO2膜.さらに一部で採用され始めているSiOF膜について,加熱時発生気体分析法により特に水分発生に着目して検討した結果について紹介する.
