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PDF/月刊誌論文/code:pg_0303_02 マテリアル インテグレーション 2003年3月号
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> 2003
PDF/月刊誌論文/code:pg_0303_02 マテリアル インテグレーション 2003年3月号
ELECTRONIC CERAMICS セラミックスインテグレーション
酸化亜鉛薄膜に及ぼす成膜雰囲気の影響
■著者
物質・材料研究機構 物質研究所 電子セラミックスグループ 研究員 安達 裕
■要約
現在,我々のグループでは,透明導電性酸化物としてZnO を選択し,変調ドーピングによる低抵抗化を試みている.ZnO 系変調構造を作製するにはまず,バンドギャップとキャリア濃度が制御されたキャリア供給層を作製しなければならない.バンドギャップ制御に関しては,ZnO のZn サイトをMg で置換することにより可能であることが報告されている.我々は(Mg, Zn)O にドーパントとしてAl を添加した薄膜の合成を行い,その電気特性および光学特性評価を行なった.その結果,(Al,Mg,Zn)O 薄膜では,バンドギャップとキャリア濃度が同時に制御されていることを確認した.変調構造作製のための基礎的検討のひとつとして,PLD 法によるZnO 薄膜作製時に強酸化源を用いた場合,酸化雰囲気の違いが結晶性および電気特性にどの程度影響を与えるかを検討してきた.本報ではそれらの結果について報告する.
