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PDF/月刊誌論文/code:pg_1104_30 マテリアル インテグレーション 2011年4月号
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PDF/月刊誌論文/code:pg_1104_30 マテリアル インテグレーション 2011年4月号
MATERIALS INTEGRATION 地域と世界に貢献する東北大学多元物質科学研究所(4,5月合併号)
アモノサーマル法によるGaN結晶基板作製
■著者
東北大学多元物質科学研究所 寄附研究部門 窒化物結晶寄附研究分野 石黒 徹
■要約
High quality GaN bulk crystals were grown by the ammonothermal method for the substrate in nitride electronics and optoelectronics. The in-autoclave, gas-phase acidic mineralizer synthesis method is proposed for high-purity GaN growth by the ammonothermal method. As a result of oxygen reduction by two orders of magnitude, the lattice parameter of ammonothermal GaN layer got close to the intrinsic value. Growth speed increased to over 150μm. This is same order as artificial quartz growth by the hydrothermal method which is performed for mass-production.
